LOS NUEVOS IGBT HÍBRIDOS DE ROHM CON DIODO DE SIC INTEGRADO

ROHM ha desarrollado IGBT híbridos con diodo de barrera Schottky de SiC integrado de 650 V, la serie RGWxx65C (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR y RGW00TS65CHR). Los dispositivos cuentan con calificación según la norma de fiabilidad para automoción AEC-Q101. Son la opción ideal para aplicaciones de automoción e industriales que manejan grandes potencias, como los acondicionadores de energía fotovoltaica, los cargadores de a bordo y los convertidores CC/CC utilizados en vehículos eléctricos y electrificados (xEV).




La serie RGWxx65C utiliza los diodos de barrera Schottky de SiC de bajas pérdidas de ROHM en el bloque de retroalimentación del IGBT como diodo de circulación libre que casi no tiene energía de recuperación y, por lo tanto, con una pérdida de conmutación del diodo mínima. Además, puesto que la corriente de recuperación no tiene que ser manejada por el IGBT en el modo de encendido, la pérdida de encendido del IGBT se reduce significativamente. Ambos efectos dan como resultado una pérdida hasta un 67% menor que la de los IGBT convencionales y un 24% menor que la de los MOSFET de superconexión (MOSFET SJ) cuando se utilizan en cargadores de vehículos. Este efecto proporciona un buen rendimiento de los costes, al tiempo que contribuye a un menor consumo de energía en aplicaciones industriales y de automoción.

En los últimos años, los esfuerzos mundiales por reducir la carga ambiental y lograr una sociedad neutra en carbono y descarbonizada han impulsado un crecimiento espectacular de los vehículos electrificados (xEV). Al mismo tiempo, está en marcha la diversificación de los semiconductores de potencia utilizados en diversos circuitos de inversores y convertidores de vehículos, necesaria para configurar sistemas más eficientes, además de la innovación tecnológica tanto de los dispositivos de potencia de SiC de pérdidas ultrabajas (por ejemplo, MOSFET de SiC y SBD de SiC) como de los dispositivos de potencia de silicio convencionales (por ejemplo, IGBT y MOSFET de superconexión).

Con el fin de ofrecer soluciones de potencia eficaces para una amplia gama de aplicaciones, ROHM se centra no solo en el desarrollo de productos y tecnologías para dispositivos de potencia de SiC líderes en la industria, sino también para productos de silicio y circuitos integrados de controladores.




Disponibilidad: marzo de 2021 (muestras), diciembre de 2021 (en producción en masa)

Ejemplos de aplicación

Materiales de apoyo al diseño

En el sitio web de ROHM también encontrará una amplia gama de datos de diseño, incluidos modelos de simulación (SPICE) y notas de aplicación sobre el diseño de los circuitos de accionamiento, necesarios para la integración y la evaluación que ayudan a una rápida introducción en el mercado.

www.rohm.com