ROHM presenta el MOSFET Wide-SOA para circuitos de seguridad en automoción

ROHM ha introducido el RS4P063BPHZG, un nuevo MOSFET de 100V optimizado para funciones de seguridad y circuitos de protección en la automoción. Presentado en el tamaño estándar de la industria 5060 (HPLF5060), el dispositivo alcanza un área de operación segura amplia (Wide Safe Operating Area - SOA) líder en el sector. Al incorporar un diseño patentado que suprime eficazmente el colapso secundario, el MOSFET ofrece aproximadamente cinco veces la tolerancia SOA de los productos estándar de tamaño equivalente bajo condiciones de una tensión drenador-surtidor de 100V (VDS) y un ancho de pulso de 100µs.

Mayor fiabilidad y fácil integración en placas
Esta capacidad SOA ampliada mejora la fiabilidad de los sistemas de automoción expuestos a cargas de alta potencia momentáneas, tales como los circuitos de encendido de infladores de bolsas de aire (airbags), accionadores de pretensores de cinturones de seguridad y circuitos de corte por termofusible (pyro-fuse) para el aislamiento de baterías. El uso del tamaño de encapsulado ampliamente adoptado de 5,0 × 6,0 mm permite a los ingenieros de automoción integrar fácilmente el nuevo MOSFET en diseños de circuitos impresos (PCB) ya existentes, reduciendo la carga de trabajo y los costes asociados a modificaciones de diseño extensas. La producción en masa del RS4P063BPHZG comenzó en junio de 2026, con disponibilidad a través de los principales distribuidores. Actualmente, ROHM se encuentra desarrollando MOSFETs Wide-SOA adicionales en encapsulados más grandes HPLF8080 (8,0 × 8,0 mm) y TOLG (9,9 × 11,7 mm) para ampliar aún más su catálogo de seguridad para automoción.




Contexto adicional: Antecedentes tecnológicos y dinámicas de mercado
Esta sección proporciona información tecnológica y de mercado que no se detalla explícitamente en el comunicado original.

El área de operación segura (SOA) define los estrictos límites de tensión y corriente dentro de los cuales un semiconductor de potencia puede operar sin sufrir daños irreversibles. Históricamente, el colapso secundario —un modo de fallo catastrófico impulsado por la concentración de corriente localizada y el desbordamiento térmico (puntos calientes)— se asociaba principalmente a los transistores bipolares. Sin embargo, a medida que los MOSFET modernos se han reducido para lograr una menor resistencia en conducción, se han vuelto cada vez más susceptibles a una inestabilidad térmica similar bajo estrés de alta tensión y corriente. En aplicaciones de automoción críticas para la seguridad, como el despliegue de airbags o el disparo de termofusibles para desconectar instantáneamente las baterías de vehículos eléctricos durante una colisión, los componentes de conmutación deben soportar picos de potencia masivos de duración milisegunda. Al rediseñar la estructura de silicio para suprimir estos puntos calientes localizados, ROHM ha desplazado hacia fuera los límites térmicos de la SOA. Esto permite a los proveedores de Nivel 1 (Tier 1) utilizar encapsulados de montaje en superficie más pequeños para gestionar cargas transitorias extremas, ahorrando un valioso espacio en la placa sin comprometer la seguridad.

Editado por Lekshman Ramdas, editor de Induportals – adaptado por IA.

www.rohm.com