ROHM suministra carburo de silicio para los vehículos eléctricos "Neue Klasse" de BMW
Los MOSFETs de SiC mejoran la eficiencia energética, la autonomía y el rendimiento de carga en los trenes motrices eléctricos de 800V de próxima generación de BMW.
www.rohm.com
ROHM Semiconductor ha anunciado que sus innovadores chips semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) se integrarán en la arquitectura del tren motriz eléctrico de la plataforma de vehículos eléctricos "Neue Klasse" de BMW. Los MOSFETs de SiC de alto rendimiento han sido diseñados para respaldar funciones críticas de electrónica de potencia dentro de los sistemas Gen6 eDrive de BMW, asegurando un funcionamiento robusto y fiable bajo exigentes condiciones de automoción.
Aumento de la autonomía y la velocidad de carga gracias a la tecnología SiC avanzada
Mediante el uso de la avanzada tecnología de SiC de ROHM, el fabricante de automóviles prémium busca maximizar la eficiencia energética global, optimizando directamente la autonomía de conducción y el rendimiento de carga para su próxima generación de movilidad eléctrica. Wolfram Harnack, presidente de ROHM Semiconductor GmbH, destacó que esta integración subraya la amplia experiencia de ROHM en electrónica de potencia para automoción y refuerza el compromiso a largo plazo de la compañía con impulsar la descarbonización de la movilidad junto con proveedores globales de Nivel 1 (Tier 1) y fabricantes de vehículos.
Contexto adicional: Antecedentes tecnológicos y dinámicas de mercado
Esta sección proporciona información tecnológica y de mercado que no se detalla explícitamente en el comunicado original.
La "Neue Klasse" de BMW representa un cambio decisivo hacia la tecnología eDrive de sexta generación del fabricante, la cual transforma la arquitectura eléctrica del vehículo hacia un sistema avanzado de 800 voltios. Para aprovechar al máximo las ventajas de las arquitecturas de 800V —como la carga ultrarrápida de 400 kW y un aumento de hasta el 30 por ciento en la autonomía—, los fabricantes de automóviles están reemplazando los IGBTs de silicio tradicionales por MOSFETs de carburo de silicio (SiC) en el inversor de tracción principal. Los semiconductores de SiC poseen una banda prohibida (bandgap) mayor, lo que les permite conmutar a frecuencias considerablemente más altas con pérdidas de conducción y conmutación drásticamente reducidas. Esta eficiencia térmica y eléctrica superior minimiza la energía disipada en forma de calor, permitiendo a los ingenieros reducir el tamaño de los componentes de refrigeración pasiva y disminuir el peso total y el espacio ocupado por la unidad de accionamiento eléctrico. En consecuencia, la integración de SiC a nivel de inversor se traduce directamente en una mayor cantidad de kilómetros recorridos por kilovatio-hora de capacidad de batería.
Editado por Lekshman Ramdas, editor de Induportals – adaptado por IA.
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