MOSFET automotrices en encapsulados compactos con flancos humectables

Los sistemas electrónicos automotrices continúan requiriendo una mayor densidad de componentes manteniendo al mismo tiempo la fiabilidad y la capacidad de fabricación conforme a los estándares de cualificación del sector automotriz. En este contexto, Toshiba Electronics Europe presentó cinco MOSFET automotrices en encapsulado DFN2020B con flancos humectables para apoyar la miniaturización y los procesos de inspección automatizados.

Diseño del encapsulado para la inspección automatizada en fabricación
Los nuevos dispositivos de canal N (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW, XSM6K336NW) y el MOSFET de canal P XSM6J372NW utilizan el encapsulado DFN2020B(WF), que incorpora una estructura de flancos humectables para mejorar la inspección de las uniones de soldadura durante el ensamblaje.

El diseño del encapsulado mejora la humectabilidad de la soldadura en comparación con el encapsulado UDFN6B de Toshiba y aumenta la visibilidad del filete de soldadura, lo que permite a los sistemas de inspección óptica automatizada (AOI) verificar con mayor fiabilidad la calidad de las uniones. Las pruebas mecánicas también mostraron aproximadamente un 23 % más de resistencia al cizallamiento de las uniones de soldadura en comparación con el encapsulado SOT-23F, lo que contribuye a una mayor robustez del ensamblaje.

Reducción de tamaño para electrónica automotriz de alta densidad
Con dimensiones típicas de 2,0 mm × 2,0 mm × 0,6 mm, el encapsulado DFN2020B(WF) reduce el área de montaje en aproximadamente un 43 % y la altura del componente en aproximadamente un 25 % en comparación con el encapsulado SOT-23F (2,4 mm × 2,9 mm × 0,8 mm).

Estas reducciones favorecen la continua miniaturización de los módulos electrónicos automotrices, donde las limitaciones de espacio en las placas de circuito impreso siguen siendo un factor clave de diseño, especialmente en arquitecturas de control distribuidas.

Disipación de potencia en MOSFET compactos
A pesar de su tamaño reducido, los dispositivos mantienen una capacidad de disipación de potencia relativamente alta. Por ejemplo, el XSM6K361NW admite una disipación máxima de 1,84 W, frente a 1,2 W del SSM3K361R en el encapsulado SOT-23F.

Esto permite que los componentes se utilicen en aplicaciones que requieren dispositivos de conmutación compactos de alta potencia, incluidos convertidores DC-DC en unidades de control electrónico (ECU) y circuitos de conmutación de carga en sistemas de iluminación LED.

Cualificación automotriz y perspectivas de desarrollo
Los MOSFET cumplen con los requisitos de fiabilidad automotriz AEC-Q101 y con el Production Part Approval Process (PPAP) definido por la norma de gestión de calidad automotriz IATF 16949.

Toshiba también indicó planes para ampliar su cartera de MOSFET basados en el encapsulado DFN2020B(WF), incluidos futuros MOSFET 2-en-1 destinados a aplicaciones automotrices.

Editado por la periodista industrial Aishwarya Mambet, con asistencia de IA.

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